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中芯国际最新技术路线图发布 32nm研发加速进行

时间:2019-12-19 08:04  来源:体育网  阅读次数: 复制分享 我要评论

  作为中国本土最大的芯片制造商,中芯国际的技术动向无疑是业界的焦点。中芯国际已走过10个年头,9月16日举办的的技术研讨会恰逢其成立10周年,新领导班子的集体亮相、最新技术路线图的发布、研发进展状况等,成为了此次研讨会的最大亮点。

  中芯国际最新技术路线图发布

  “中芯国际对于技术的发展投入不遗余力,这也是我们能够在中国半导体业界得以领先的最重要原因。”中芯国际COO SimON Yang博士说,“今年年底我们将结束55nm的研发,本月底40nm的研发将freeze,32nm的设备PO已发出,研发也已于今年5月启动。”中芯国际中短期的技术路线图见表1。

中芯国际最新技术路线图发布 32nm研发加速进行

  “截至2010年8月底,中芯国际的专利共4060件。虽然与国际先进公司还有差距,但是在国内已遥遥领先。我们的45/40nm光罩完全由中芯国际自己的光罩厂制造,充分证明了中芯国际在芯片制造领域的实力。”Simon Yang博士坦言。

  中芯国际2000年由上海起步,经过10年的发展,已在中国大陆“遍地开花”,200mm及300mm生产线均已有5条(包括已建成的深圳300mm生产线)。各生产线的产能规划也在此次研讨会公布(见表2)。

中芯国际最新技术路线图发布 32nm研发加速进行

  32nm研发加速

  “毫无疑问,Intel是芯片制造技术的领先者,最先进的技术往往由Intel发布。作为代工厂,中芯国际的65/60nm技术大约比其晚4年,但是从45/40nm开始,我们的研发已经加速,32nm技术只落后2年左右。预计在2013年3月,我们的32nm就将进行产品验证。” Simon Yang博士说。

  周梅生博士从工艺角度对中芯国际的技术进行了解析。“在栅极部分,32nm将会采用高K金属栅工艺,以此取代以往的Poly/SION,这是亮点,当然也是难点所在,中芯国际将会采用的是Gate Last技术;在关键的光刻部分,依然是采用现在主流的浸入式光刻;应变硅部分会采用SMT和SiGe。

  季明华博士重点介绍了逻辑和SOC技术。“中芯国际的45nm LL(Low Leakage)和GP(Generic with High Performance)来自IBM,在此基础上形成了中芯国际的45nm LL和GP技术,再进一步经过缩小,即有了40nm LL和GP。40LL将在本月底freeze,随后会经过3-6个月的认证。从技术层面看,SoC技术它以超深亚微米VDSM(Very Deep Submicron)工艺和知识产权IP为支撑,是集成电路发展的必然趋势和主流,也是中芯国际未来的重点之一。

  对于芯片制造来说,只有市场的领导者才能实现盈利,后来者就只能通过价格竞争来取得市场份额。32nm芯片的研发费用已高达$100milion,但中芯国际32nm加速发展,22nm也已提上日程。无论是产业布局,还是技术发展进度,中芯国际都已成为中国芯片制造业的标杆。