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MOCVD激增引发LED产业风险 硬件设备待突破

时间:2019-12-19 03:22  来源:体育网  阅读次数: 复制分享 我要评论

  目前,由于GaN基LED的质量和价格的原因,还只能是在特种照明上起作用。努力提高质量和降低价格,使之尽快进入普通照明领域,是最重要的任务。

  近年来LED光源效率提高很快,过去6、7年间提高了4~5倍,同时成本也在不断下降,而且下降非常快,企业为规避风险在新一轮投资和扩产中应充分考虑这一发展趋势。

  当前LED的主要技术问题是提高发光效率、降低光衰与降低成本。从前几年完成的技术指标情况看,半导体照明技术的发展,比原计划快得多。商品化LED发光效率产品已达130lm/W。

  当前采购成本高是绿色照明的主要障碍。对中国大陆LED产业发展,建议要让突破性新技术萌芽、成长,新技术不仅是大幅降低成本的手段,而且是自主创新的核心。

  LED的发明者Holonyak2000年在美国物理学会会刊J.P.S上以“发光二极管是灯的最终形式吗?”为题发表文章称:“原则上发光二极管是灯的最终形式,实际上也是如此,它的发展能够而且将继续到所有功率和颜色都实现为止,了解这一点极为重要。”10年过去了,这一观点正在得到印证。LED照明应用正在快速发展,技术也在不断取得突破。在9月9日召开的“第十二届全国LED产业研讨与学术会议”上,我们看到,我国LED工艺技术取得了快速进步,但同时,硬件设备正在成为发展瓶颈,特别是MOCVD(有机金属化学气相沉积)等核心设备正在制约产业的发展。

  工艺技术进步快硬件设备待突破

  我国LED工艺技术确实进步较快,特别是硅衬底LED的快速进步,引来业界众多关注的目光。在LED工艺技术快速推进的同时,硬件设备却未见突破,核心装备特别是MOCVD设备正在成为产业发展瓶颈。由MOCVD设备引发的投资热潮,正在成为业界普遍关心的焦点问题。

  自2003年国家启动半导体照明工程以来,我国半导体照明产业和技术取得显着进步,初步形成了上中下游比较完整的研发和产业体系,进入快速发展阶段。以企业为主体的LED制造技术进步较快,企业产业化线上完成的功率型芯片封装后光效达到80lm/W~100lm/W。具有自主知识产权的功率型Si衬底LED芯片封装后光效达到78lm/W,处于国际先进水平。

  目前国际上GaN基LED产业主流的衬底是蓝宝石,也有少量公司使用SiC衬底及Si衬底。Si衬底价格低廉,导电性能优良,但是Si与GaN的失配很大,外延出的GaN位错密度较高,而且很容易发生龟裂,要获得高质量的GaN外延层非常困难。最近南昌大学在Si衬底上生长GaN基蓝光LED方面取得了较大进展,光效达到了116.7流明,达到了同类产品的最高水平。

  LED工艺技术进步非常快,在工艺技术快速进步的同时,硬件设备并未获得突破,特别是没有成熟的国产设备,大量核心的设备需要进口,严重制约了LED技术和产业的发展。

  MOCVD设备进口激增产业发展风险凸显

  据不完全统计,国内大约30个单位已经公示或正在筹建LED外延芯片项目。其投资购买MOCVD设备的数量在1400台~1600台,而实际较可能的数量也有500台~600台。

  工业和信息化部电子信息司副巡视员关白玉强调,LED进入照明领域,集中体现了多技术融合的特点,属于高端技术和产品,需要具备较强的产业基础和技术基础来支撑发展和相关应用,希望投资者对此能够有充分的认识,做好市场分析和产品定位,做好投资计划和投资方案,有效规避投资风险。

  上海大晨光电科技有限公司副总经理岳建水分析认为,整个LED产业随着技术提升、专业化的发展、品牌的确立,必然由纷纷涌入的“游击战”,发展到大投资进入的“阵地战”,再到品牌引领的“系统战”。因此,产业集中度会愈来愈高。这个过程中,资本成为最大的推手。产业洗牌和整合势在必行。