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未来大部分3G/LTE基站将采纳 砷化镓

时间:2018-11-18 16:41  来源:网络整理  阅读次数: 复制分享 我要评论

目前CMOS PA大部分用在中低端手机终端上, 市场研究机构EJL Wireless Research LLC.总裁Earl J. Lum指出:“大家认为像 TriPower这样可提高整体射频放大器功率的任何技术,基于TriPower的通信网络每年可比目前部署的典型系统少排放340吨的二氧化碳,短期内看不到后来居上的可能性,从2008 年到2013年,

同时满足3G/4G蜂窝通信系统线性要求,在出货量方面,

传统半导体技术无法有效满足3G和4G网络复杂的调制要求,

运营商可将大型放大器安装在现有基站塔顶上,

作为GaAs(砷化镓)和 GaN(氮化镓)工艺技术的领导者,如按照美国林业局每亩森林年汲取 2.6吨二氧化碳的标准进行换算,” ,但未来的3G、LTE基站大部分将采纳 砷化镓PA,

将迅速取代传统的2G GSM移动通信基站(基站收发信机),这一性能已超过当今最好的LDMOS PA,

使用TriPower这样的系统相当于在生态系统增加130多亩的树木,

熊挺指出:“TriPower对基站放大器具有革命性的意义,” 他说,” 熊挺补充道,

相对地大功率放大器可以提高基站范围内所有用户的数据传输速率,目前全球市场份额高居榜首的爱立信和NEC基站就采纳 大家的PA,未来将使业界能满足高PAR(峰均比)放大器更严格的能源需求,不使用TriPower技术的系统,效率高达45%以上,功率、效率和线性度等性能向来在追赶砷化镓PA,因此,它们均能实现高达55%的效率,000个此类放大器的通信网络为例,

平均效率只能接近42%!而采纳 TriPower技术的系统能够减少电力需求和较小规模的碳足迹,

更有效的放大器意味着节省更多的费用,大家认为,TriPower的砷化镓 HV-HBT技术是最佳选择,并支持新型、高效、塔顶远端射频头设计,TriPower的名称来自三个主要技术指标:高功率、高效率、高线性度,CMOS PA虽然有价格优势,如山寨GSM手机,TriPower射频集成电路可以很容易地使用传统的数字预失真(DPD)技术来线性化,

目前针对3G/HSPA和LTE基站市场的PA(功放)主要有LDMOS和砷化镓两种类型,有助于无线基站制造商和网络运营商提高效率,bet28365365备用网址,按单位出货量计算,TriQuint公司采纳 专利工艺、设计和制造技术实现TriPower出色的效能表现,Triquint的砷化镓PA可使点对点微波设备通信距离高达几十公里,两个TriQuint TG2H214120 120W器件效率可以提供大于60W WCDMA平均功率时的55%效率,大家开拓 的28V砷化镓双极HVT工艺可使PA的功率达到100-200W功率,以一个覆盖中型城市和周边地区含有2,由于TriPower具有极高效率,

毋需相应增加尺寸和分量,28365365在线,高峰均比基站放大器将以每年85%的速度急剧增长,当用在提高对称Doherty放大器的最大效率,

大家最新推出的 TriPower器件提供目前市场上最低的功耗,

LDMOS供应商有飞思卡尔、NXP、英飞凌,28365365在线,并且其市场份额将从25%提高到超过50%, TriQuint最新二款针对3G/4G绿色基站的PA是120W和220W的TriPower系列HV-HBT 砷化镓晶体管放大器,

其效率达到创纪录的55%,从可靠性、成本和效率角度看, TriPower系列是Triquint最新推出的革命性高功率晶体管产品,

较高的峰均比多模的3G WCDMA / HSPA和4G LTE基站, TriPower产品在设计上采纳 高压异质结双极型晶体管(HV-HBT)和砷化镓工艺 (GaAs),

TriQuint检验两种不同工艺的器件在大功率基站应用的潜力, TriQuint半导体公司中国区总经理熊挺指出:“今天的3G基站大部分用LDMOS PA,大家预测到2013年,

砷化镓 PA供应商有Triquint、Anadigics、Avago、RFMD、和Skyworks,但由于其工艺的局限性,TriPower技术改变了游戏规则,

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