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极紫外线技术将促进光学仪器快速进展

时间:2018-11-09 22:41  来源:网络整理  阅读次数: 复制分享 我要评论

这样一次做出的电路数量就可以翻番,推动硅半导体工艺的进步,EUV光源的强度对降低成本至关重要,28365365在线,用于加速450毫米晶圆技术、EUV光刻技术的研发,

1小时只够在10个硅晶圆上做出图案,研究人员解释道,但即使这些专用反射镜也会汲取 很多EUV光, (来源:互联网) ,通过将波长缩短到13.5纳米,

英特尔公司宣布投资41亿美元, 一块芯片能容纳的晶体管数量每隔几年就可以翻番,这个过程需要在真空中进行,

在芯片上蚀刻更小图案的唯一方式是使用波长更短的光波,目前电路一般被蚀刻在300纳米宽的硅晶圆上,28365365在线,EUV光刻技术面临着化学、物理和工程学方面的挑战,芯片上的集成电路图案是通过让光透过一个遮蔽物照耀 在一块涂满光阻剂的硅晶圆上制成, 几乎所有的材料(包括空气)都会汲取 波长短到13.5纳米的光,所以,有鉴于此, 另一个挑战在于,光越暗淡,解决方案之一是借用EUV光刻技术将更小的晶体管蚀刻在微芯片上,365体育备用网站,目前只能采纳 深紫外(波长一般约为193纳米)光刻技术制造出22纳米宽的最小图案,

而且因为这种光无法由传统的反射镜和透镜所引导,但英特尔公司希望EUV技术能在450纳米宽的硅晶圆上进行,且一小时至少要做出100个图案,芯片上的图案可缩小到5纳米或更